ドイツのハイデルベルクレーザー直写システム-DWL 66レーザー直写光描画システムは、ハイデルベルク社が顧客の低コスト投入を考慮し、顧客との相互関係を増やすという理念の下で設計した機台であり、価格は高くないが、高精密な光描画品質を維持し、マイクロ影技術と光学分野の研究発展において顧客から相当な満足の口コミを得た。同時に、継続的な増加に注文を取り替えることで、DWL 66システムの設計開発理念を証明し、*小さな費用で*高い付加価値を向上させた。
技術パラメータ:
加工部品寸法:150 X 150 mm
プロットヘッダ焦点距離Write Lens |
10 mm |
20 mm |
40 mm |
||
*小さな線幅または間隔Minimum Feature |
0.6um |
1µm |
2.5 µm |
5 µm |
10 µm |
書式グリッドWrite Grid |
20nm |
40 nm |
100 nm |
200 nm |
400 nm |
CDきんいつどCD Uniformity |
80nm |
100 nm |
220 nm |
440 nm |
880 nm |
線幅均一性Line width Uniformity |
100 nm |
200 nm |
400 nm |
600 nm |
1000 nm |
ワイヤエッジ粗さEdge Roughness |
60 nm |
80 nm |
120 nm |
180 nm |
280 nm |
アライメント精度Alignment Accuracy |
200 nm |
250 nm |
500 nm |
1 µm |
2 µm |
位置決め精度Position Accuracy |
0.4 um |
0.6 µm |
1 µm |
1.5 µm |
2 µm |
リードライト時間Writing time ( 80x |
70 hour |
19 hour |
3 hour |
0.9 hour |
0.3 hour |
Applications適用範囲
このレーザパターン発生システムは、レジストをコーティングした各種基板、ガラス、シリコンシート、またはその他の平面材料に使用される。
RETICLE(分割板)、ASICS(ウェハ)、MEMS(マイコン電気システム)、SENSOR(センサ)、
REFRACTIVE OR DIFFRACTIVE OPTICS(屈折及び回折光学), MOEMS(マイクロホトエレクトロニクス),
MCMS, HYBRIDS, INTEGRETED OPTICS(集積光学), µTAS,SAW ect.